科技日报讯 （冯妍 记者王春）在一眨眼的时间内，现有的U盘只能存取1000次数据，而复旦大学周鹏、刘春森研究团队研制的皮秒闪存器件，擦写速度快至400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作，且具有断电后数据不丢失的“非易失性”。记者近日从该校获悉，这款名为“破晓”的皮秒闪存器件，是目前研发出的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果发表于国际期刊《自然》。
电荷存储器以复杂电信号组合实现数据的高效传输与精准处理。然而，当今主要的两种电荷存储器存在一些不足：要么速度快，但数据断电丢失；要么数据断电不丢失，但速度不够快。因此这两种储存器都难以满足当前人工智能计算对大量数据极高速存取的需求。
在研究团队的努力下，“破晓”同时解决了存储速度和数据易失问题。据周鹏介绍，团队从2015年开始就集中精力寻求突破电荷存储速度，最终在解决基础理论问题后，发现了一种电荷存储的“超注入”机制。
刘春森介绍，现有的硬盘闪存机制是将电荷注入材料的沟道中以实现信号的存储。注入电压在5伏左右时，注入速度最快，电压高了或低了，速度都会慢下来。“而我们的成果是从技术底层开始，提出自己的理论创新，由此对材料的物理机制进行调整，实现了‘电压越高，存储越快’的‘无极限’‘超注入’存储，将非易失存储速度提升至理论极限。”刘春森说。
刘春森透露，相关产品已在尝试小规模量产。“虽然这方面的工作只是刚刚起步，但我们也正同步推进产业化。”他说。闪存是国际科技巨头技术布局的基石，这一技术有望为我国在相关领域实现技术引领提供强有力支撑。
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